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1925年P(guān)ierreAuger在威爾遜云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子，并進行了理論解釋，俄歇電子以他的名字命名。1953年，JamesJosephLander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜，并探討了俄歇效應(yīng)應(yīng)用于表面分析的可能性。1967年LarryHarris提出了微分處理來增強AES譜圖信號。美國明尼蘇達大學的RolandWeber,PaulPalmberg和他們的導師BillPeria進行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性，研制了早期商用俄歇表面分析儀器（如圖1所示），并基于...

晶圓片在線面掃檢測儀是一種用于半導體行業(yè)的高精度設(shè)備，通過實時檢測和分析晶圓片表面的缺陷和污染物，提高半導體生產(chǎn)質(zhì)量。作為半導體制造過程的重要環(huán)節(jié)，在線面掃檢測儀能夠提供高效、準確的檢測和分析，幫助半導體工廠及時發(fā)現(xiàn)和解決潛在問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。該在線面掃檢測儀利用高分辨率的光學傳感器和圖像處理技術(shù)，能夠?qū)A片表面進行快速、全面的檢測。它能夠檢測并分類各種缺陷和污染物，如劃痕、斑點、氣泡、污染和裂紋等，提供精確的位置和尺寸信息。通過分析采集到的圖像和數(shù)據(jù)，在線面掃檢...

高分辨率X射線衍射(HRXRD)是一種強大的無損檢測方法，其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。普遍用于單晶質(zhì)量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數(shù)、缺陷、失配、弛豫、應(yīng)力等結(jié)構(gòu)參數(shù)的測試。現(xiàn)代HRXRD與常規(guī)XRD的區(qū)別主要體現(xiàn)在：（1）高度平行且高度單色的高質(zhì)量X射線；（2）不僅要測試倒易格點的位置（角度），還要測試倒易格點的形狀（缺陷）；（3）更高的理論要求-動力學理論。GaN做第三代半導體，目前用于電力電子、高頻器件和發(fā)光二極管(LED)技...

由于X射線可以對樣品進行無損的檢測，現(xiàn)代的X射線衍射儀可以對藥物樣品進行普遍的原位分析。比如不同溫度下，不同濕度，不同壓力下的晶型的變化。這些原位的研究方法不僅可以分析藥物晶型的穩(wěn)定性，還可以為發(fā)現(xiàn)新晶型提供新的研究思路和方法。圖1不同溫度下的晶型衍射圖譜變化（Storey,PfizerGlobalR&D(2003)隨著藥物晶型監(jiān)管力度逐步增加，單純的定性分析原料藥API或制劑中的晶型已不能滿足質(zhì)量研究的要求，對藥物制劑中的有效晶型的定量分析，是藥物生產(chǎn)中質(zhì)量控制過程中非常重...

目前的半導體產(chǎn)業(yè)正面臨CMOS微縮極限的挑戰(zhàn),業(yè)界需要通過半導體封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展來彌補性能上的差距。不過，這同時也帶來了日益復(fù)雜的封裝架構(gòu)和新的制造挑戰(zhàn),當然，同時更是增加了封裝故障的風險。而這些發(fā)生故障的位置往往隱藏于復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)之中,傳統(tǒng)的故障位置確認方法似乎已經(jīng)難以滿足高效分析的需求了。因此，行業(yè)需要新的技術(shù)手段來有效地篩選和確定產(chǎn)生故障的根本原因。而可以無損表征樣品三維結(jié)構(gòu)的XRM技術(shù)剛好迎合了半導體行業(yè)的這一需求，通過提供亞微米和納米級別的3D圖像，這一技...

XRM技術(shù)在生命科學領(lǐng)域中有著非常廣泛的應(yīng)用，高分辨斷層三維掃描主要可以應(yīng)用于骨科學、口腔科學、植物學以及醫(yī)學領(lǐng)域中的呼吸系統(tǒng)研究、血管系統(tǒng)研究以及生物制藥研究等方面。這其中，骨科學是早引入XRM技術(shù)的，且目前的應(yīng)用情況為成熟。實例大鼠骨小梁局部壁厚分布三維表征，BrukerSkyscan1276骨活檢，機械載荷，BrukerSkyscan1275羊骨，鈦植入物三維形貌表征，BrukerSkyscan1275小鼠脛骨壁厚分布三維體渲染圖，BrukerSkyscan1272雌性...

隨著藥物晶型監(jiān)管力度逐步增加，單純的定性分析原料藥API或制劑中的晶型已不能滿足質(zhì)量研究的要求，對藥物制劑中的有效晶型的定量分析，是藥物生產(chǎn)中質(zhì)量控制過程中非常重要的環(huán)節(jié)。X射線粉末衍射可用于定量混合物中結(jié)晶相的強大技術(shù)，其可以提供每個物相0.1-1wt.%的檢出限，廣泛應(yīng)用于制藥工業(yè)、材料學研究等工業(yè)、學術(shù)應(yīng)用的定量分析。目前對于藥物制劑中的晶型或是雜質(zhì)定量分析方法有標準曲線法（圖1），Rietveld全譜擬合法（圖2）等。除了常規(guī)的定量分析PXRD還能對藥物制劑進行結(jié)晶度...

電池材料中所含物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)可以通過分析x射線衍射圖譜來獲得。而在電池材料結(jié)構(gòu)精修以及電化學原位XRD應(yīng)用中，通過電化學原位XRD實時檢測充放電過程中的x射線衍射圖譜可以進一步探究材料的結(jié)構(gòu)演變規(guī)律，進而加深對電池結(jié)構(gòu)的認識。實例一鈉電池層狀正極材料XRD結(jié)構(gòu)精修我們以常見的P2相鈉離子電池層狀正極材料為例展開應(yīng)用研究，P2型的NaxTMO2有兩種過渡金屬層（AB和BA），鈉離子位于三棱柱的位置并且也有兩種不同的配位環(huán)境，分別稱為Nae和Naf位點。兩個位點由于距離過近庫侖斥...